[发明专利]肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

硅外延片，形成多个沟槽，其中，所述多个沟槽的开口朝向所述硅外延片的上表面；

氧化层，覆盖所述多个沟槽的内表面；

多晶硅层，填充所述多个沟槽的除所述氧化层之外的空间；

介质层，设置于所述硅外延片的上表面；

阳极金属层，设置于所述介质层上且延伸至肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部，其中，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层；以及

阴极金属层，设置于所述硅外延片的下表面；

其中，所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影以及所述介质层在所述硅外延片上的投影覆盖至少一个所述沟槽；

所述硅外延片内部还形成有至少一个沟槽缓冲部，所述至少一个沟槽缓冲部与被所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖的所述沟槽一一对应设置，每一个所述沟槽缓冲部包围与其对应的所述沟槽的下部。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述硅外延片包括硅衬底和设置于所述硅衬底上的硅外延层。

3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多个沟槽和所述至少一个沟槽缓冲部形成于所述硅外延层。

4.如权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多个沟槽的底部最低点距离所述硅外延层的上表面的距离为1～2.5微米。

5.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多个沟槽中任意相邻的两个所述沟槽之间的间距相等。

6.如权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多个沟槽中任意相邻的两个所述沟槽之间的间距为1～2.75微米。

7.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，被所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖的所述沟槽的数目、被所述介质层在所述硅外延片上的投影覆盖的所述沟槽的数目以及所述沟槽缓冲部的数目为多个。

8.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层的材质为二氧化硅，所述介质层的材质为等离子体增强正硅酸乙酯。

9.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述阳极金属层的材质为钛，所述阴极金属层的材质为钛、镍或银。

10.一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

清洗硅外延片；

在所述硅外延片上生长得到第一氧化层；

蚀刻所述第一氧化层和所述硅外延片以形成多个沟槽，其中，所述多个沟槽贯穿所述第一氧化层、并伸入所述硅外延片内部；

在所述多个沟槽的内表面生长得到第二氧化层；

在所述硅外延片内部形成至少一个沟槽缓冲部；

在所述第一氧化层和所述第二氧化层上形成多晶硅层，其中，所述多晶硅层填充所述多个沟槽的除所述第二氧化层之外的空间；

蚀刻所述多晶硅层和所述第一氧化层，以去除所述多晶硅层和所述第一氧化层的凸出于所述硅外延片上表面的部分；

在所述硅外延片上形成介质层；

蚀刻所述介质层以形成肖特基接触孔，其中，所述肖特基接触孔贯穿所述介质层，其中，所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影以及所述介质层在所述硅外延片上的投影覆盖至少一个所述沟槽，所述沟槽缓冲部与被所述肖特基接触孔在所述硅外延片上的投影覆盖的所述沟槽一一对应设置，每一个所述沟槽缓冲部包围与其对应的所述沟槽的下部；

在所述介质层上形成阳极金属层、并使所述阳极金属层延伸至所述肖特基接触孔内以覆盖所述肖特基接触孔的底部；以及

在所述硅外延片的下表面形成阴极金属层，从而制得所述肖特基二极管。