[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810876005.9 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110854184B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘暐昌;陈震;王献德;向往;塔威;方玲刚;薛尚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H10B43/20;H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括第一栅极、栅介电层、一对第二栅极、第一间隙壁以及第二间隙壁。所述第一栅极配置于基底上。所述栅介电层配置于所述第一栅极与所述基底之间。所述一对第二栅极配置于所述基底上且分别位于所述第一栅极的二侧，其中所述一对第二栅极的顶面高于所述第一栅极的顶面。所述第一间隙壁配置于所述一对第二栅极的自所述第一栅极的顶面凸出的侧壁上，且覆盖所述第一栅极的顶面。所述第二间隙壁配置于所述栅介电层与所述一对第二栅极之间、所述第一栅极与所述一对第二栅极之间以及所述第一间隙壁与所述一对第二栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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