[发明专利]工艺设备及其工作方法在审
| 申请号： | 201810862747.6 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109003921A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李垚;陈伏宏;刘世振;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种工艺设备及其工作方法，工艺设备包括：固定于工艺腔中的静电吸附卡盘，静电吸附卡盘中具有若干孔槽；位于工艺腔中的顶撑装置，且顶撑装置位于所述静电吸附卡盘的底部，顶撑装置包括若干顶针，顶针适于穿过所述孔槽并沿孔槽的延伸方向进行往复运动；位于工艺腔中的缓冲装置，且缓冲装置位于顶撑装置的底部；位于缓冲装置与顶撑装置之间的第一传动杆，第一传动杆的一端与所述缓冲装置连接，第一传动杆的另一端与所述顶撑装置连接；位于工艺腔中的动力装置，且动力装置位于缓冲装置的底部；位于动力装置和缓冲装置之间的第二传动杆，第二传动杆的一端与所述缓冲装置连接，第二传动杆的另一端与所述动力装置连接。所述工艺设备的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲装置 顶撑装置 传动杆 工艺设备 工艺腔 动力装置 静电吸附 卡盘 孔槽 顶针 动力装置连接 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔；固定于所述工艺腔中的静电吸附卡盘，所述静电吸附卡盘中具有若干孔槽，所述孔槽贯穿静电吸附卡盘；位于工艺腔中的顶撑装置，且所述顶撑装置位于所述静电吸附卡盘的底部，所述顶撑装置包括若干顶针，所述顶针适于穿过所述孔槽并沿孔槽的延伸方向进行往复运动；位于工艺腔中的缓冲装置，且所述缓冲装置位于所述顶撑装置的底部；位于所述缓冲装置与所述顶撑装置之间的第一传动杆，第一传动杆的一端与所述缓冲装置连接，第一传动杆的另一端与所述顶撑装置连接；位于工艺腔中的动力装置，且所述动力装置位于所述缓冲装置的底部；位于所述动力装置和所述缓冲装置之间的第二传动杆，第二传动杆的一端与所述缓冲装置连接，第二传动杆的另一端与所述动力装置连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
