[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 201810830243.6 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109037051B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 赵东光;占琼;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336;H01L29/45;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，首先在衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构并延伸覆盖所述衬底，然后先采用研磨工艺去除所述栅极结构上的介质层，然后再去除所述源区及漏区上的介质层，最后在所述源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层，相较于传统的一次性刻蚀以去除所述源区、漏区及栅极结构上的介质层，采用研磨工艺去除所述栅极结构上的介质层的方法可以避免由于所述栅极结构的形貌对所述源区、漏区上介质层的去除产生的影响，使形成的硅化物层的位置更加准确，提高了器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有源区和漏区，所述衬底上形成有位于所述源区和漏区之间的栅极结构；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构并延伸覆盖所述衬底；采用研磨工艺以去除所述栅极结构上的介质层；去除所述源区及所述漏区上的介质层；在所述源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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