[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

说明书

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，首先在衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构并延伸覆盖所述衬底，然后先采用研磨工艺去除所述栅极结构上的介质层，然后再去除所述源区及漏区上的介质层，最后在所述源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层，相较于传统的一次性刻蚀以去除所述源区、漏区及栅极结构上的介质层，采用研磨工艺去除所述栅极结构上的介质层的方法可以避免由于所述栅极结构的形貌对所述源区、漏区上介质层的去除产生的影响，使形成的硅化物层的位置更加准确，提高了器件的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

背景技术

目前，高压晶体管广泛应用于各种工业电子设备及消费电子设备的集成高压电源管理电路，或存储器读写电路中。通常高压晶体管的输入电压较高(5V～600V)，因此，当高压晶体管作为功率晶体管被应用时，其应该具有较高的击穿电压(breakdown voltage)以提高工作稳定性。为实现较高的击穿电压，需要一个较长的漂移区(drift area，形成在栅极和源极或栅极和漏极之间)来承受高压，漂移区上面不能够形成金属硅化物。高压晶体管需要在源极、漏极和栅极上形成硅化物层，以降低接触电阻。为实现这种器件结构，需要采用光阻来定义出漂移区，则光阻的一侧会落在栅极侧墙上，在曝光的时候容易有散射光被侧墙反射造成光阻底部曝光，形成光阻剥落，造成高压晶体管良率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，以提高现有的高压晶体管的良率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，所述半导体结构的制备方法包括：

提供衬底，所述衬底中形成有源区和漏区，所述衬底上形成有位于所述源区和漏区之间的栅极结构；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构并延伸覆盖所述衬底；

采用研磨工艺以去除所述栅极结构上的介质层；

去除所述源区及所述漏区上的介质层；

在所述源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层。

可选的，所述栅极结构包括栅电极及形成于所述栅电极两侧的侧墙。

可选的，去除所述栅极结构上的介质层的步骤包括：

在所述介质层上形成阻挡层；

采用研磨工艺去除所述栅极结构上的阻挡层及介质层，以露出所述栅电极；

去除所述阻挡层。

可选的，所述阻挡层为氧化硅、氧化硅-氮化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合结构层。

可选的，去除所述源区及所述漏区上的介质层的步骤包括：

在所述介质层上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述栅电极并延伸覆盖所述介质层；

对所述光刻胶层进行曝光显影工艺以形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中形成有露出所述介质层的第一开口及第二开口，所述第一开口对准所述源区，所述第二开口对准所述漏区；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一开口及第二开口下方的介质层，形成露出所述衬底的第三开口及第四开口，所述第三开口对准所述源区，所述第四开口对准所述漏区；

去除所述图形化的光刻胶层。

可选的，在所述源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层的步骤包括：

在所述介质层上形成金属层，所述金属层覆盖所述栅电极及所述第三开口和第四开口露出的衬底并延伸覆盖所述介质层；