[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构为高压晶体管，所述半导体结构的制备方法包括：

提供衬底，所述衬底中形成有源区和漏区，所述衬底上形成有位于所述源区和漏区之间的栅极结构，所述栅极结构与所述源区或者所述栅极结构与所述漏区之间具有漂移区；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构并延伸覆盖所述衬底；

采用研磨工艺以去除所述栅极结构上的介质层；

去除所述源区及所述漏区上的介质层；

在所述源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅电极及形成于所述栅电极两侧的侧墙。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述栅极结构上的介质层的步骤包括：

在所述介质层上形成阻挡层；

采用研磨工艺去除所述栅极结构上的阻挡层及介质层，以露出所述栅电极；

去除所述阻挡层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层为氧化硅、氧化硅-氮化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合结构层。

5.如权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述源区及所述漏区上的介质层的步骤包括：

在所述介质层上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述栅电极并延伸覆盖所述介质层；

对所述光刻胶层进行曝光显影工艺以形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中形成有露出所述介质层的第一开口及第二开口，所述第一开口对准所述源区，所述第二开口对准所述漏区；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一开口及第二开口下方的介质层，形成露出所述衬底的第三开口及第四开口，所述第三开口对准所述源区，所述第四开口对准所述漏区；

去除所述图形化的光刻胶层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述源区、漏区及栅极结构上形成硅化物层的步骤包括：

在所述介质层上形成金属层，所述金属层覆盖所述栅电极及所述第三开口和第四开口露出的衬底并延伸覆盖所述介质层；

进行第一次快速热退火工艺，以在所述第三开口和第四开口露出的衬底上及所述栅电极上形成硅化物层；

去除剩余的所述金属层；

进行第二次快速热退火工艺，以将所述硅化物层的阻值降低。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，第一次快速热退火工艺的温度在300摄氏度-500摄氏度之间，第二次快速热退火工艺的温度在400摄氏度-1000摄氏度之间。

8.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀以去除剩余的所述金属层。

9.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料包括镍、钛、钴、钽、铂、钼及钨中的一种或多种。

10.如权利要求1-9中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅、氧化硅-氮化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合结构层。

11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1-10中任一项所述半导体结构的制备方法形成，所述半导体结构为高压晶体管，包括：

衬底，所述衬底中形成源区和漏区，所述衬底上形成有位于所述源区和漏区之间的栅极结构；

硅化物层，所述硅化物层位于所述衬底上，并覆盖所述源区、漏区及栅极结构；

介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构的侧壁并延伸覆盖所述衬底未被所述硅化物层覆盖的部分，其中，所述栅极结构与所述源区或者所述栅极结构与所述漏区之间具有漂移区，所述介质层覆盖所述漂移区；

其中，所述源区、漏区及栅极结构上的硅化物层同时形成。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括接触孔，所述接触孔位于所述硅化物层上，以将所述源区、漏区及栅极结构连出。