[发明专利]在存储器单元与导电存取线之间包括无源材料的半导体装置，及相关电子装置有效
| 申请号： | 201810825243.7 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109309081B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | I·托尔托雷利;F·佩里兹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请针对于在存储器单元与导电存取线之间包含无源材料的半导体装置，及相关电子装置。本发明提供一种半导体装置，其包含：第一导线，其在第一方向上延伸；第二导线，其在第二方向上延伸；存储器单元，其安置于所述第一导线与所述第二导线之间，每一存储器单元安置于第一导线与第二导线的交点处；以及无源材料，其在所述存储器单元与所述第一导线和所述第二导线中的至少一个之间。公开相关半导体装置和电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 导电 存取 之间 包括 无源 材料 半导体 装置 相关 电子 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：第一导线，其在第一方向上延伸；第二导线，其在不同的第二方向上延伸；存储器单元，其安置于所述第一导线与所述第二导线之间，每一存储器单元安置于第一导线与第二导线的交点处；以及无源材料，其在所述存储器单元中的每一个与所述第一导线和所述第二导线中的至少一个之间。
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