[发明专利]在存储器单元与导电存取线之间包括无源材料的半导体装置，及相关电子装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一导线，其在第一方向上延伸；

第二导线，其在不同的第二方向上延伸；

存储器单元，其安置于所述第一导线与所述第二导线之间，每一存储器单元安置于第一导线与第二导线的交点处；以及

无源材料，其在所述存储器单元中的每一个与所述第一导线和所述第二导线中的至少一个之间，所述无源材料与所述第一导线和所述第二导线中的所述至少一个共同延伸，所述无源材料与所述存储器单元的存储器材料通过电极分隔开，

其中所述无源材料选自由以下组成的群组：氧化铝、氮化硅钨、氮化硅钛、金属氮化物、氮化硅、金属硅化物以及其组合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器单元中的每一个与所述第一导线和所述第二导线中的至少一个之间的所述无源材料包括：

所述存储器单元与所述第一导线之间的无源材料；以及

所述存储器单元与所述第二导线之间的另一无源材料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述无源材料包括氧化铝。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述无源材料的厚度介于0.5nm与10nm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述无源材料与所述第一导线和所述第二导线中的所述至少一个直接接触。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述无源材料与所述存储器单元中的至少一些直接接触。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括在所述无源材料与所述第一导线和所述第二导线中的所述至少一个之间的半金属材料。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半金属材料包括氮化硅钨WSiN。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半金属材料包含与所述第一导线和所述第二导线中的所述至少一个相同的金属。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括在所述无源材料与所述存储器单元中的至少一些之间的半金属材料。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述半金属材料的厚度大于所述无源材料的厚度。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器单元各自包括堆叠，所述堆叠包括选择器材料和开关材料，所述选择器材料和所述开关材料中的每一个安置于电极之间。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器单元每个包括氧化铝。

14.一种半导体装置，其包括：

至少一个存储器单元，其包括：

存储器材料；

选择器材料；以及

电极，其在所述存储器材料与所述选择器材料之间；

导电存取线，其在所述至少一个存储器单元的第一侧上；

另一导电存取线，其在所述至少一个存储器单元的第二相对侧上；以及

至少一种无源材料，其在所述至少一个存储器单元与所述导电存取线和所述另一导电存取线中的至少一个之间，所述至少一种无源材料与所述导电存取线和所述另一导电存取线中的所述至少一个共同延伸并且在所述至少一个存储器单元和相邻存储器单元之间延伸，

其中所述至少一种无源材料选自由以下组成的群组：氧化铝、氮化硅钨、氮化硅钛、金属氮化物、氮化硅、金属硅化物以及其组合。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述至少一种无源材料包括氧化铝。

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述至少一种无源材料包括金属氮化物。