[发明专利]半导体封装及其形成方法有效
| 申请号： | 201810824906.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109411369B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | S·克里南;王松伟;周志雄;刘豪杰;陈费费 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体封装及其形成方法。形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧中形成多个凹槽，晶圆的第一侧包括多个电触点。所述方法还可包括使用模塑料涂布晶圆的第一侧和多个凹槽的内部，磨削晶圆的第二侧以将所述晶圆减薄到所需厚度，在晶圆的第二侧上形成背金属，通过磨削模塑料的第一侧来暴露多个电触点，以及在多个凹槽处对所述晶圆进行切单以形成多个半导体封装。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体封装的方法，包括：在晶圆的第一侧形成多个凹槽，所述多个凹槽深入到所述晶圆的所述第一侧中，所述晶圆的所述第一侧包括多个电触点；使用模塑料涂布所述晶圆的所述第一侧和所述多个凹槽的内部；磨削所述晶圆的第二侧以将所述晶圆减薄到所需厚度；在所述晶圆的第二侧上形成背金属；通过磨削所述模塑料的第一侧来暴露所述多个电触点；以及在所述多个凹槽处对所述晶圆进行切单以形成多个半导体封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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