[发明专利]一种瞬间电压抑制器及其制作方法有效
申请号: | 201810823642.X | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN108987461B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 王永贵;阳林涛;邱一平 | 申请(专利权)人: | 王永贵;阳林涛;邱一平 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
代理公司: | 44419 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘小芹 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种瞬间电压抑制器及其制作方法,包括第一导电类型的衬底;第二导电类型的第一外延层,生长于所述衬底上表面;第二导电类型的扩散层,形成于所述衬底下表面;第二导电类型的第二外延层,包括设置于所述第一外延层上表面的第一部分,所述第二外延层的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度;第二导电类型的第一注入区,形成于所述第一部分的上表面,所述第一注入区的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度;与所述第一注入区电连接的第一电极;以及与所述扩散层电连接的第二电极。本方案可提高器件性能降低器件成本。 | ||
搜索关键词: | 外延层 导电类型 掺杂 注入区 瞬间电压抑制器 电连接 扩散层 上表面 第一导电类型 衬底上表面 衬底下表面 第二电极 第一电极 降低器件 器件性能 衬底 制作 生长 | ||
【主权项】:
1.一种瞬态电压抑制器,其特征在于,包括:/n第一导电类型的衬底;/n第二导电类型的第一外延层,生长于所述衬底上表面;/n第二导电类型的扩散层,形成于所述衬底下表面;/n第二导电类型的第二外延层,包括设置于所述第一外延层上表面的第一部分,所述第二外延层的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度;/n第二导电类型的第一注入区,形成于所述第一部分的上表面,所述第一注入区的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度;/n与所述第一注入区电连接的第一电极;以及/n与所述扩散层电连接的第二电极;/n所述瞬态电压抑制器还包括/n所述第二外延层还包括与所述第一部分连接并贯穿所述第一外延层延伸至所述衬底中的第二部分;/n第一导电类型的第二注入区,所述第二注入区形成于所述第一部分的上表面;/n第一导电类型的第三注入区及第一导电类型的第四注入区,所述第三注入区形成于所述第一部分的上表面,且分别与所述第一注入区和所述第二注入区连接,所述第四注入区形成于所述第二注入区的上表面,其中所述第三注入区及所述第四注入区的掺杂浓度高于所述第二注入区的掺杂浓度。/n
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