[发明专利]一种功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种功率器件及其制作方法，所述功率器件的制作方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底下表面形成延伸至所述衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽自所述衬底下表面延伸至所述衬底内的方向上宽度递减；在所述衬底上表面生长形成第一导电类型的外延层；在所述衬底下表面形成延伸至所述外延层内的第二沟槽，所述第二沟槽自所述衬底下表面延伸至所述外延层内的方向上宽度递减；在所述外延层上表面形成源极和栅极结构，其中，所述源极和栅极结构包括正面电极；在所述衬底的下表面形成背面电极；形成贯穿所述外延层上表面的防水层延伸至所述第二沟槽顶部的第三沟槽。由于在形成所述第三沟槽后，不用再进行单独的划片步骤。

主权项

1.一种功率器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有从所述衬底下表面延伸至所述衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽自所述衬底下表面延伸至所述衬底内的方向上宽度递减；第一导电类型的外延层，生长形成于所述衬底上表面；源极和栅极结构，形成于所述外延层上表面其中，所述源极和栅极结构包括正面电极；第一防水层，形成于所述第一沟槽的顶部以及侧壁；第二防水层，形成于所述衬底和所述外延层侧面；第三防水层，形成于所述正面电极和所述外延层上表面；背面电极，形成于所述衬底下表面；其中，所述衬底和所述外延层的侧面为阶梯型结构，所述阶梯型结构在所述功率器件未与划片道区分离时通过在所述衬底下表面形成延伸至所述外延层内的第二沟槽，并形成贯穿所述外延层上表面的所述第三防水层延伸至所述第二沟槽顶部的第三沟槽，以使所述功率器件与所述划片道区分离。