[发明专利]一种功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底，所述衬底具有从所述衬底下表面延伸至所述衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽自所述衬底下表面延伸至所述衬底内的方向上宽度递减；

第一导电类型的外延层，生长形成于所述衬底上表面；

源极和栅极结构，形成于所述外延层上表面其中，所述源极和栅极结构包括正面电极；

第一防水层，形成于所述第一沟槽的顶部以及侧壁；

第二防水层，形成于所述衬底和所述外延层侧面；

第三防水层，形成于所述正面电极和所述外延层上表面；

背面电极，形成于所述衬底下表面；

其中，所述衬底和所述外延层的侧面为阶梯型结构，所述阶梯型结构在所述功率器件未与划片道区分离时通过在所述衬底下表面形成延伸至所述外延层内的第二沟槽，并形成贯穿所述外延层上表面的所述第三防水层延伸至所述第二沟槽顶部的第三沟槽，以使所述功率器件与所述划片道区分离。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一沟槽为阶梯型结构，所述呈阶梯型结构的第一沟槽自开口到顶部的每一层高度递减。

3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述阶梯型结构为三级阶梯型结构。

4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述形成于所述衬底和所述外延层的侧面的阶梯型结构自所述衬底下表面延伸至所述外延层的方向的每一层高度递减。

5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于，所述第一沟槽与所述源极和栅极结构相对设置。

6.一种功率器件的制作方法，其包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底下表面形成延伸至所述衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽自所述衬底下表面延伸至所述衬底内的方向上宽度递减；

在所述衬底上表面生长形成第一导电类型的外延层；

在所述衬底下表面形成延伸至所述外延层内的第二沟槽，所述第二沟槽自所述衬底下表面延伸至所述外延层内的方向上宽度递减；

在所述外延层上表面形成源极和栅极结构，其中，所述源极和栅极结构包括正面电极；

在所述第一沟槽顶部和侧壁形成第一防水层，在所述第二沟槽顶部和侧壁形成第二防水层，在所述源极和栅极结构以及所述外延层上表面形成第三防水层；

在所述衬底的下表面形成背面电极；

形成贯穿所述外延层上表面的防水层延伸至所述第二沟槽顶部的第三沟槽。

7.根据权利要求6所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽均为阶梯型结构，所述阶梯型结构自开口到顶部的每一层高度递减。

8.根据权利要求7所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽均为三级阶梯型结构。

9.根据权利要求8所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽顶部和侧壁形成第一防水层，在所述第二沟槽顶部和侧壁形成第二防水层具体包括：

在所述衬底下表面和所述第一沟槽顶部以及侧壁形成防水层；

在所述第二沟槽顶部和侧壁形成第二防水层；

去除所述衬底下表面形成的防水层，保留所述第一沟槽顶部和侧壁的防水层形成第一防水层。

10.根据权利要求9所述的一种功率器件的制作方法，其特征在于，将所述第一沟槽与所述源极和栅极结构相对设置。