[发明专利]铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法，它以乙酰丙酮铁作为铁源，无水乙醇作为碳源，通过无水乙醇将乙酰丙酮铁引入微波等离子体化学气相沉积装置中，在基底上生长铁掺杂金刚石，实现将铁元素引入稀磁金刚石中。本发明首次以乙酰丙酮铁作为铁源，通过挥发的无水乙醇将其引入，采用微波等离子体化学气相沉积法制备稀磁金刚石半导体，并成功生长出在室温下具有铁磁效应的金刚石。并且发现，随着铁源用量的增加，金刚石的磁性强度呈现一种上升的现象。针对其的研究有利于最大程度地探究铁掺杂金刚石的稀磁半导体特性，同时也有利于探索金刚石磁性掺杂的更多可能性。

主权项

1.铁掺杂金刚石稀磁半导体的制备方法，其特征在于它以乙酰丙酮铁作为铁源，无水乙醇作为碳源，通过无水乙醇将乙酰丙酮铁引入微波等离子体化学气相沉积装置中，在基底上生长铁掺杂金刚石薄膜，得到铁掺杂金刚石稀磁半导体。