[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示器有效

专利信息
申请号: 201810696342.X 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN108899327B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 张鑫;肖军城;田超 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 袁江龙
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示器。通过这种方法,本发明使得像素电极层、栅极图案层及掺杂型多晶硅层通过一道掩膜工艺即可形成,相比于现有技术中,像素电极层、栅极图案层及掺杂型多晶硅层的三层结构至少需要三道掩膜工艺,减少了掩膜工艺的步骤,从而减少了光罩的使用数量,降低生产成本,节省生产时间。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 显示器
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:通过第一道掩膜工艺在衬底基板上形成多晶硅层;形成覆盖所述多晶硅层的栅极绝缘层,并通过第二道掩膜工艺形成像素电极层、栅极图案层及掺杂型多晶硅层;形成覆盖所述栅极图案层及所述像素电极层的介电层,并通过第三道掩膜工艺形成连通所述像素电极层的第一过孔及分别连通所述掺杂型多晶硅层两端的第二过孔及第三过孔;通过第四道掩膜工艺形成源极图案层及漏极图案层,所述源极图案层通过所述第二过孔与掺杂型多晶硅层的一端连接,所述漏极图案层分别通过所述第一过孔及所述第三过孔与所述像素电极层及所述掺杂型多晶硅层的另一端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810696342.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top