[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示器

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

通过第一道掩膜工艺在衬底基板上形成多晶硅层；

形成覆盖所述多晶硅层的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上依次形成层叠设置的第一导电层及第二导电层；

通过第二道掩膜工艺在所述第二导电层上形成第一光阻图案区及第二光阻图案区，且所述第一光阻图案区的厚度大于所述第二光阻图案区的厚度，所述第二道掩膜工艺的光罩为半透光光罩；

对所述第一导电层及所述第二导电层进行第一次蚀刻，以形成外露所述栅极绝缘层的第一镂空区；

在所述多晶硅层中与所述第一镂空区对应的位置形成离子重掺杂区；

对所述第一光阻图案区进行蚀刻；

在所述第一导电层及所述第二导电层上与所述第一光阻图案区被蚀刻的对应位置对所述第一导电层及所述第二导电层进行蚀刻，以形成外露所述栅极绝缘层的第二镂空区；

对所述第二光阻图案区进行蚀刻，以外露所述第二光阻图案区对应位置的所述第二导电层；

对所述第二光阻图案区对应位置的所述第二导电层进行蚀刻，以外露所述第二光阻图案区对应位置的所述第一导电层，进而形成像素电极层；

剥离所述第一光阻图案区以外露所述第一光阻图案区对应位置的所述第二导电层，进而形成栅极图案层；

在所述多晶硅层中与所述第二镂空区对应的位置形成离子轻掺杂区；

形成覆盖所述栅极图案层及所述像素电极层的介电层，并通过第三道掩膜工艺形成连通所述像素电极层的第一过孔及分别连通掺杂型多晶硅层两端的第二过孔及第三过孔；

通过第四道掩膜工艺形成源极图案层、漏极图案层以及在所述介电层上形成触控电极层，所述源极图案层通过所述第二过孔与掺杂型多晶硅层的一端连接，所述漏极图案层分别通过所述第一过孔及所述第三过孔与所述像素电极层及所述掺杂型多晶硅层的另一端连接；

形成覆盖所述触控电极层、源极图案层及漏极图案层的平坦层，并通过第五道掩膜工艺形成连通所述触控电极层的第四过孔；

通过第六道掩膜工艺在所述平坦层上形成连接所述触控电极层的公共电极层。

2.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1所述的方法制造而成。

3.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括权利要求2中所述的阵列基板。