[发明专利]形成多芯片封装架构的方法及由此形成的结构在审
| 申请号： | 201810688316.2 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148394A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | N.尼尔;N.S.赫恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了形成微电子封装结构/模块的方法和由此形成的结构。本文中形成的结构可包括部署在衬底上的第一管芯、部署在衬底上的第二管芯、部署在第一管芯与第二管芯之间的模塑料，其中模塑料被部署在衬底的上表面上。环氧化物材料被部署在第一管芯的侧壁的顶部部分与模塑料之间，并且热界面材料(TIM)被部署在第一和第二管芯的上表面上，其中TIM在衬底的整个长度上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 第二管 模塑料 部署 管芯 上表面 微电子封装结构 多芯片封装 热界面材料 环氧化物 结构描述 侧壁 架构 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种微电子封装结构，包括：部署在衬底上的管芯，其中所述管芯包括第一管芯；部署在所述管芯的下表面与所述衬底的上表面之间的互连结构的阵列；部署在所述管芯的侧壁的顶部部分上的环氧化物材料的第一部分；围绕互连结构的所述阵列的所述环氧化物材料的第二部分；以及与所述环氧化物材料的所述第一部分和所述第二部分毗邻的模塑料，其中所述模塑料被部署在所述衬底的所述上表面上，并且其中所述环氧化物材料的所述第一部分被部署在所述模塑料与所述管芯的所述侧壁的顶部部分之间。
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