[发明专利]形成多芯片封装架构的方法及由此形成的结构

说明书

描述了形成微电子封装结构/模块的方法和由此形成的结构。本文中形成的结构可包括部署在衬底上的第一管芯、部署在衬底上的第二管芯、部署在第一管芯与第二管芯之间的模塑料，其中模塑料被部署在衬底的上表面上。环氧化物材料被部署在第一管芯的侧壁的顶部部分与模塑料之间，并且热界面材料(TIM)被部署在第一和第二管芯的上表面上，其中TIM在衬底的整个长度上延伸。

背景技术

微电子封装结构可利用多个管芯配置，其中不止一个管芯可被包括在封装中。此类封装内的管芯可具有不同高度。例如，热界面材料（TIM）典型地被应用在封装内的管芯背侧与冷却结构（诸如散热器（heat spreader））之间。对于带有不同管芯高度的封装，可出现热挑战，诸如在管芯到管芯边界区域处引起的TIM应力。

附图说明

尽管本说明书通过特别地指出并清楚地要求保护某些实施例的权利要求书而结束，但在结合附图被阅读时，这些实施例的优点能够从下面描述更容易地被探知，在附图中：

图1表示根据实施例的结构的横截面视图。

图2a-2i表示按照根据实施例的形成封装结构的方法而形成的结构的横截面视图。

图3表示根据实施例，形成封装结构的方法的流程图。

图4表示根据实施例的计算系统的一部分的横截面。

图5表示根据实施例的计算系统的示意图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，对附图进行了参考，附图通过图示示出了其中可实践方法和结构的特定实施例。这些实施例以充分的细节被描述以使本领域技术人员能实践实施例。要理解的是，各种实施例虽然不同，但不一定互斥。例如，联系一个实施例的本文中所描述的具体特征、结构或特性可在其它实施例内被实现而不脱离实施例的精神和范围。另外，要理解的是，在每个公开的实施例内各个元件的位置或布置可被修改而不脱离实施例的精神和范围。

下面的详细描述因此将不被从限制意义上来理解，并且实施例的范围仅由适当解释的随附权利要求连同权利要求被授权的等同物的完全范围来定义。在图中，同样的标号可在所有几个视图中指的是相同或相似的功能性。术语“在…上方”、“到”、“在…之间”和“在…上”在本文中使用时可指一个层相对于其它层的相对位置。在另一层的“上方”或“上”或结合“到”另一层的一个层可与该另一层直接接触，或者可具有一个或多个中间层。在层“之间”的一个层可与层直接接触，或者可具有一个或多个中间层。彼此“毗邻”的层和/或结构可具有或可不具有在它们之间的中间结构/层。直接在另一层/结构（多个层/结构）上/直接接触另一层/结构（多个层/结构）的层/结构（多个层/结构）可在它们之间没有中间层/结构（多个层/结构）。

本文中实施例的各种实现可在诸如封装衬底的衬底上被形成或执行。封装衬底可包括任何适合类型的衬底，该衬底能够在诸如集成电路（IC）管芯的电组件与IC封装可被耦合到的下一级组件（例如，电路板）之间提供电通信。在另一实施例中，衬底可包括任何适合类型的衬底，该衬底能够在IC管芯和与下部IC/管芯封装耦合的上部IC封装之间提供电通信，并且在又一实施例中，衬底可包括任何适合类型的衬底，该衬底能够在上部IC封装与IC封装被耦合到的下一级组件之间提供电通信。

衬底还可提供对管芯的结构支持。通过示例，在一个实施例中，衬底可包括围绕芯层（电介质或金属芯）内建的多层衬底 - 包含电介质材料和金属的交替层。在另一实施例中，衬底可包括无芯多层衬底。其它类型的衬底和衬底材料也可用于公开的实施例（例如，陶瓷，蓝宝石、玻璃等）。进一步，根据一个实施例，衬底可包括在管芯自身上方内建的电介质材料和金属的交替层 - 此工艺有时被称为“内建非凹凸工艺”（bumpless build-upprocess）。在利用此类方案的情况下，可需要或可不需要传导互连（因为在一些情况下，内建层可被直接部署在管芯上方）。