[发明专利]半导体图像传感器有效
| 申请号： | 201810684932.0 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN109728008B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 吴纹浩;周耕宇;庄君豪;江伟杰;曾建贤;桥本一明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一些实施例涉及一种背面照光式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；像素传感器，其安置于所述衬底中；隔离结构，其包围所述像素传感器且安置于所述衬底中；介电层，其安置于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方；及多个导电结构，其安置于所述介电层中且经布置以与所述隔离结构对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种背面照光式BSI图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；像素传感器，其位于所述衬底中；隔离结构，其包围所述衬底中的所述像素传感器；介电层，其位于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方；及多个导电结构，其安置于所述介电层中且经布置以与所述隔离结构对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
