[发明专利]半导体图像传感器有效

专利信息
申请号: 201810684932.0 申请日: 2018-06-28
公开(公告)号: CN109728008B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 吴纹浩;周耕宇;庄君豪;江伟杰;曾建贤;桥本一明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蒋林清
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 图像传感器
【说明书】:

发明的一些实施例涉及一种背面照光式BSI图像传感器,其包含:衬底,其包含正面及与所述正面对置的背面;像素传感器,其安置于所述衬底中;隔离结构,其包围所述像素传感器且安置于所述衬底中;介电层,其安置于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方;及多个导电结构,其安置于所述介电层中且经布置以与所述隔离结构对准。

技术领域

本发明实施例涉及半导体图像传感器。

背景技术

数码相机及其它成像装置采用图像传感器。图像传感器将光学图像转换成可表示为数字图像的数字数据。图像传感器包含像素传感器阵列及支持逻辑电路。阵列的像素传感器是用于测量入射光的单位装置,且支持逻辑电路促进测量的读出。常用于光学成像装置中的图像传感器类型是一背面照光式(BSI)图像传感器。可为了低成本、小尺寸及高集成度而将BSI图像传感器制造集成到常规半导体程序中。此外,BSI图像传感器具有低操作电压、低电力消耗、高量子效率、低读出噪声且允许随机存取。

发明内容

根据本发明的一实施例,一种背面照光式BSI图像传感器包括:衬底,其包括正面及与所述正面对置的背面;像素传感器,其位于所述衬底中;隔离结构,其包围所述衬底中的所述像素传感器;介电层,其位于所述衬底的所述正面上的所述像素传感器上方;及多个导电结构,其安置于所述介电层中且经布置以与所述隔离结构对准。

根据本发明的一实施例,一种背面照光式BSI图像传感器包括:衬底,其包括正面及与所述正面对置的背面;像素传感器,其位于所述衬底中;隔离结构,其包围所述衬底中的所述像素传感器;互连结构,其位于所述正面上的所述衬底上方;及第一反射结构,其安置于所述互连结构中且对准于所述隔离结构。

根据本发明的一实施例,一种背面照光式BSI图像传感器包括:衬底,其包括正面及与所述正面对置的背面;多个像素传感器,其位于所述衬底中;及反射格栅,其从所述正面到所述背面穿透所述衬底,其中所述像素传感器安置于所述反射格栅内且通过所述反射格栅来彼此分离。

附图说明

从结合附图来阅读的[实施方式]最佳地理解本揭露的方面。应注意,根据工业中的标准做法,各个构件未按比例绘制。事实上,为使讨论清楚,可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的平面图。

图2是一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的平面图。

图3是一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的平面图。

图4是沿图1到3的线A-A'取得的BSI图像传感器的像素传感器的横截面图。

图5是一些实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的一部分的横截面图。

图6是一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的平面图。

图7是一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的平面图。

图8是一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的像素传感器的平面图。

图9是沿图6到8的线B-B'取得的BSI图像传感器的像素传感器的横截面图。

图10是一些实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的一部分的横截面图。

具体实施方式

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