[发明专利]一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810650037.7 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN109065623B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 杨同同;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 陈风平 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，该碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体的结构包括外延层、漏极、第一导电类型阱区域、第二导电类型源区域、第一导电类型重掺杂区、源电极、栅氧化层、栅电极、钝化保护层及若干个第一导电类型区域。本发明引入了第一导电类型区域，可以在增加JFET宽度的同时抑制器件栅氧内的电场强度，从而在不影响器件阻断的条件下，增加JFET区域的宽度，降低JFET区域的电阻，提升器件的导通特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：第二导电类型外延层；位于所述第二导电类型外延层背面的漏极；与所述第二导电类型外延层相邻并分布于所述第二导电类型外延层两侧的第一导电类型阱区域；位于所述第一导电类型阱区域中，靠近JFET区域的第二导电类型源区域；位于所述第一导电类型阱区域中，远离JFET区域的第一导电类型重掺杂区；位于所述第二导电类型源区域及所述第一导电类型重掺杂区之上的源电极；位于JFET区域及部分所述第二导电类型源区域上方的栅氧化层；位于所述栅氧化层之上的栅电极；位于所述栅电极之上的钝化保护层；位于所述第二导电类型外延层之内的若干个第一导电类型区域。
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