[发明专利]具有增强近红外量子效率的CMOS图像传感器

摘要

本发明涉及一种具有增强近红外量子效率的CMOS图像传感器。一种图像传感器包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；近红外NIR量子效率QE增强结构，其在所述光电二极管的某一区域内包括至少两个NIR QE增强元件，其中所述NIR QE增强结构经配置以通过衍射、偏转及反射中的至少一者修改所述半导体材料的所述受照表面处的所述入射光以重新分布所述光电二极管内的所述入射光以改进所述图像传感器的光学灵敏度，包含近红外光灵敏度。

主权项

1.一种图像传感器，其包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所生成的所述电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；近红外量子效率增强结构，其在所述光电二极管的光敏区域内包括至少两个近红外量子效率增强元件，其中所述近红外量子效率增强结构经配置以通过衍射、偏转及反射中的至少一者修改所述半导体材料的所述受照表面处的所述入射光以重新分布所述光电二极管内的所述入射光以改进所述图像传感器的光学灵敏度，包含近红外光灵敏度。