[发明专利]半导体器件及其形成方法、半导体结构有效
| 申请号： | 201810619114.2 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN110610924B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高金凤;钱蔚宏;王西宁;程仁豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法、半导体结构，半导体器件包括：基底，包括衬底、位于衬底上的分立的鳍部以及横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；依次位于基底上的多层屏蔽层，屏蔽层与基底电连接，且相邻两层屏蔽层相互电连接，每一层屏蔽层包括多个间隔排列的同心导电环，且每一层屏蔽层中，导电环相互电连接；接地环，位于基底上，接地环环绕屏蔽层且与屏蔽层电连接。本发明在基底中引入鳍部以及横跨鳍部的栅极结构，使得基底的图形密度和形状能够满足鳍式场效应晶体管的设计规则。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n基底，包括衬底、位于所述衬底上的分立的鳍部以及横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；/n依次位于所述基底上的多层屏蔽层，所述屏蔽层与所述基底电连接，且相邻两层屏蔽层相互电连接，每一层屏蔽层包括多个间隔排列的同心导电环，且每一层屏蔽层中，所述导电环相互电连接；/n接地环，位于所述基底上，所述接地环环绕所述屏蔽层且与所述屏蔽层电连接。/n
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