[发明专利]半导体装置和闪存存储器控制方法有效
| 申请号： | 201810616418.3 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109147847B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 仓藤崇 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置和闪存存储器控制方法。根据一个实施例，存储器控制器被配置为使得，当存储器控制器控制由第一主设备或第二主设备执行的对闪存存储器的写入/擦除处理时，存储器控制器能够在第一主设备正在对闪存存储器执行写入/擦除处理时禁止执行中的写入/擦除处理的中断，该中断是由于第二主设备对闪存存储器的访问造成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 闪存 存储器 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一主设备和第二主设备，能够执行预定处理；数据可重写闪存存储器；以及存储器控制器，被配置为控制由所述第一主设备或所述第二主设备执行的对所述闪存存储器的写入/擦除处理，其中所述存储器控制器被配置为使得，当所述第一主设备正在对所述闪存存储器执行写入/擦除处理时，所述存储器控制器能够禁止执行中的写入/擦除处理的中断，所述中断是由于所述第二主设备对所述闪存存储器的访问造成的。
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