[发明专利]半导体装置和闪存存储器控制方法有效

专利信息
申请号: 201810616418.3 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN109147847B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 仓藤崇 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/14
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 闪存 存储器 控制 方法
【说明书】:

本公开涉及半导体装置和闪存存储器控制方法。根据一个实施例,存储器控制器被配置为使得,当存储器控制器控制由第一主设备或第二主设备执行的对闪存存储器的写入/擦除处理时,存储器控制器能够在第一主设备正在对闪存存储器执行写入/擦除处理时禁止执行中的写入/擦除处理的中断,该中断是由于第二主设备对闪存存储器的访问造成的。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2017年6月27日提交的日本专利申请No.2017-125270的优先权权益,该日本专利申请的公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

本公开涉及半导体装置和闪存存储器控制方法。例如,本公开涉及当多个主设备执行对闪存存储器的写入/擦除处理时使用的控制技术。

背景技术

包括多个主设备(例如,多个主处理单元)的一类半导体装置可以配置为使得所述多个主设备使用一个公共的闪存存储器。在具有这种配置的半导体装置中,例如,存储器控制器控制从每个主设备对闪存存储器的访问。

日本未经审查的专利申请公开No.2008-34045公开了用于中断/恢复对闪存存储器的写入/擦除处理的技术。

一般而言,当某个主设备正在对闪存存储器执行写入/擦除处理时,其它主设备不能对该闪存存储器执行读取、写入和擦除处理中的任何。应当注意的是,向闪存存储器写入/从闪存存储器擦除数据要花费时间。因此,在一些情况下,当某个主设备如上所述正在对闪存存储器执行写入/擦除处理时,其它主设备长时间不能访问闪存存储器并且需要等待长时间。

为了解决上述问题,日本未经审查的专利申请公开No.2008-34045公开了一种半导体装置,其中,即使当正在对闪存存储器执行写入/擦除处理时,该写入/擦除处理也可以被中断以使得可以对闪存存储器执行其它处理(例如,读取、写入或擦除处理)。

发明内容

但是,本发明的发明人发现了以下问题。即,对闪存存储器的这种写入/擦除处理可以包括重要的处理。当这样重要的写入/擦除处理在处理中途被中断时,可能发生与整个系统相关的问题,从而使得半导体装置的操作不稳定。

从附图和本说明书的描述中,其它问题和新颖特征将是清楚的。

根据一个实施例,存储器控制器被配置为使得,当存储器控制器控制由第一主设备或第二主设备执行的对闪存存储器的写入/擦除处理时,存储器控制器可以在第一主设备正在执行对闪存存储器的写/擦除处理时禁止执行中的写入/擦除处理的中断,该中断是由于第二主设备对闪存存储器的访问造成的。

根据上述实施例,能够提供包括部署在其中的闪存存储器的半导体装置以及能够实现半导体装置中的稳定操作的闪存存储器控制方法。

附图说明

从以下结合附图对某些实施例的描述中,上述及其它方面、优点和特征将变得更加清楚,其中:

图1是示出根据第一实施例的半导体装置的框图;

图2是示出根据第一实施例的半导体装置中包括的存储器控制器的框图;

图3是示出根据第一实施例的半导体装置中使用的命令的示例的表格;

图4是用于说明对闪存存储器的写入/擦除处理的操作的时序图;

图5是用于说明中断/恢复对闪存存储器的写入/擦除处理的操作的时序图;

图6是用于说明对闪存存储器的写入/擦除处理的操作的时序图;

图7是示出根据第一实施例的半导体装置的另一个配置示例的框图;

图8是示出根据第二实施例的半导体装置中包括的存储控制器的框图;

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