[发明专利]静电放电装置在审
| 申请号： | 201810598690.3 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109103178A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | G·博塞利;M·Y·阿里 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了静电放电装置。根据至少一个实施例，ESD装置(100)包括：半导体(102)；焊盘(106)；接地轨(110)；在半导体中形成的p阱(112)；在p阱中形成并且电耦合到接地轨的第一p型区(116)；在p阱中形成并且电耦合到焊盘的第一n型区(118)；在p阱中形成并且电耦合到接地轨的第二n型区(122)；在半导体中形成的n阱(114)；在n阱中形成的第一n型区(108)；在n阱中形成并且电耦合到焊盘的第一p型区(128)；以及在n阱中形成并且电耦合到在n阱中形成的第一n型区的第二p型区(124)。 | ||
| 搜索关键词： | 电耦合 接地轨 焊盘 半导体 静电放电装置 申请 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电装置，其包括：半导体；焊盘；接地轨；p阱，其在所述半导体中形成；第一p型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述接地轨；第一n型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述焊盘；第二n型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述接地轨；n阱，其在所述半导体中形成；第一n型区，其在所述n阱中形成；第一p型区，其在所述n阱中形成并且电耦合到所述焊盘；以及第二p型区，其在所述n阱中形成并且电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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