[发明专利]一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法有效
| 申请号： | 201810592023.4 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108411368B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 彭燕;陈秀芳;杨祥龙;徐现刚;胡小波;张用;张磊 | 申请（专利权）人： | 山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法，本发明利用微管密度1cm |
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| 搜索关键词： | 一种 快速 选择性 降低 sic 晶体 微管 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法，包括步骤如下：(1)选取微管密度<1cm‑2、位错密度小等于于5000cm‑2的SiC区域，并切割成为侧面为极性面的对称性晶体；(2)将步骤(1)切割的对称性晶体固定在SiC籽晶的多微管多位错区域；(3)将步骤(2)处理后的SiC籽晶进行两个阶段晶体生长，第一阶段：低温低压促进侧向生长，形成成全片微管密度<5cm‑2，位错密度<5000cm‑2的完整籽晶，第二阶段：采用近似平衡态生长条件进行生长。
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