[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201810590018.X | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108807407B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 韩国庆;徐涛 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/11531 | 分类号: | H01L27/11531 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,该方法包括提供一衬底,在衬底上形成分栅快闪存储器件单元和逻辑器件单元,在所述分栅快闪存储器件单元的侧墙外侧面形成有第一间隔氧化层,采用同一光罩和同一离子在同一道离子注入工艺中同时对所述分栅快闪存储器件单元第一间隔氧化层与位线之间的衬底和所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底进行离子注入,在所述分栅快闪存储器件单元的第一间隔氧化层与位线之间的衬底中形成有重掺杂的N型漏极区,在所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底中形成有重掺杂的N型源/漏极区。本发明能够克服横向穿通效应,以及降低制造成本和提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:提供一衬底;在所述衬底上分别形成分栅快闪存储器件单元和逻辑器件单元;在所述分栅快闪存储器件单元表面形成有氧化层;保留覆盖所述分栅快闪存储器件单元中位于其侧墙外侧面的氧化层,去除其它区域的氧化层,以使所述分栅快闪存储器件单元的侧墙外侧面形成有第一间隔氧化层,所述第一间隔氧化层与所述分栅快闪存储器件单元的位线之间留有缝隙;采用同一光罩和同一离子在同一道离子注入工艺中同时对所述分栅快闪存储器件单元第一间隔氧化层与位线之间的衬底和所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底进行离子注入,在所述分栅快闪存储器件单元的第一间隔氧化层与位线之间的衬底中形成有重掺杂的N型漏极区,在所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底中形成有重掺杂的N型源/漏极区。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的