[发明专利]一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及制作方法在审
| 申请号： | 201810563554.0 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108766968A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王全;刘林林;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及其制备方法，该CMOS结构自下而上依次包括硅衬底、场区和有源区、第一介质层、无源器件区和第二介质层以及钝化层，所述有源区和场区位于同一水平面上，所述无源器件区和第二介质层位于同一水平面上；所述无源器件区位于所述场区的正上方，且所述无源器件区在水平方向上的面积小于场区在水平方向上的面积，位于所述无源器件区正下方的硅衬底背面含有特定图样的硅槽，且所述硅槽中填充绝缘介质材料。本发明提供的一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及制作方法，可以降低硅衬底的寄生效应，减小衬底的损耗，提高器件的品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | 无源器件 场区 衬底 硅衬底 介质层 体硅 同一水平 硅槽 源区 填充绝缘介质 寄生效应 品质因子 钝化层 减小 图样 制备 制作 背面 | ||
【主权项】：
1.一种低衬底损耗的体硅CMOS结构，其特征在于，自下而上依次包括硅衬底、场区和有源区、第一介质层、无源器件区和第二介质层以及钝化层，所述有源区和场区位于同一水平面上，所述无源器件区和第二介质层位于同一水平面上；所述无源器件区位于所述场区的正上方，且所述无源器件区在水平方向上的面积小于场区在水平方向上的面积，位于所述无源器件区正下方的硅衬底背面含有硅槽，且所述硅槽中填充绝缘介质材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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