[发明专利]一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810560607.3 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108560051A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/06;C30B25/18 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗单晶硅衬底,去除单晶硅衬底表面的油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备,以Al靶为靶材，将单晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar以及反应气体N2，在单晶硅衬底表面溅镀AlN缓冲层；S3、以Al靶与ZnO靶为靶材，在AlN缓冲层表面溅镀由AlN与ZnO构成的复合缓冲层；S4、以ZnO靶为靶材，在复合缓冲层表面溅镀ZnO膜层，得到具有缓冲层的ZnO薄膜；避免了ZnO膜层直接与单晶硅衬底进行接触，提高了镀制的ZnO膜层的结晶质量；整个过程就是简单的磁控溅射镀膜，过程简单，可控性、重复性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 缓冲层 靶材 衬底 溅镀 磁控溅射设备 复合缓冲层 衬底表面 制备 磁控溅射镀膜 反应气体 溅射气体 可控性 真空腔 油污 镀制 去除 清洗 室内 | ||
【主权项】：
1.一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗单晶硅衬底,去除单晶硅衬底表面的油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备,以 Al靶为靶材，将单晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar以及反应气体N2，在单晶硅衬底表面溅镀AlN缓冲层；S3、以 Al靶与ZnO靶为靶材，在AlN缓冲层表面溅镀由AlN与ZnO构成的复合缓冲层；S4、以ZnO靶为靶材，在复合缓冲层表面溅镀ZnO膜层，得到具有缓冲层的ZnO薄膜。
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