[发明专利]一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺

摘要

本发明涉及一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺；其工艺步骤包括配制镀镍液、配置镀金液、氯化金活化液配置、一次镀镍、镍烧结、硝酸处理、二次镀镍和镀金；采用本发明的方法在半导体硅器件上形成的Ni、Au镀层，其镀层金属细腻、均匀，镀层金属颗粒小且致密，镀层粘附性好。

主权项

1.一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺，其特征在于，包括以下步骤：A、配制镀镍液：向石英缸中加入7200ml离子水、240g氯化镍、400g氯化铵、520g柠檬酸铵搅拌1‑2min，将石英缸内温度升至70±5℃，向石英缸内加入80克次亚磷酸钠搅拌1‑2min，再将石英缸内温度升至87±5℃，向石英缸内加入氨水调节pH值至8.5‑9.0，得到镀镍液；B、配置镀金液：向石英缸中加入8100ml离子水、36g氰金化钾搅拌1‑2min，将石英缸内温度升至75±5℃，向石英缸内加入900g柠檬酸钠搅拌1‑2min，再将石英缸内温度升至100±5℃得到镀金液；C、氯化金活化液配置：向活化剂聚乙烯缸加入5g氯化金、100ml盐酸、550ml氢氟酸，7600ml离子水搅拌1‑2分钟得到氯化金活化液；D、一次镀镍：将硅片浸入体积份数2.6‑3%的氢氟酸中腐蚀10±2秒，冲洗干净，再浸入体积份数2.6‑3%的氢氟酸中二次腐蚀10±2秒，冲洗干净后放入氯化金活化液活化6±1秒，冲洗干燥后放入温度95±3℃的镀镍液中镀镍90±6秒，移入溢流槽中逆水流方向进级冲洗12±1分钟，甩干后置于氮气烘箱内烘烤20±5分钟，氮气烘箱烘烤温度130±20℃，氮气流量2±0.5LPM；E、镍烧结:将一次镀镍后的硅片图形面对图形面排片放入石英烧结舟中，预热10分钟，温度575℃烧结35±1分钟，以1.5℃/分钟降温至500℃，取出冷却；F：硝酸处理：镍烧结后的硅片放入为体积份数70±1%硝酸中，温度95±5℃煮4±1分钟，清洗；G：二次镀镍：将硝酸处理后的硅片浸入体积份数2.6‑3%的氢氟酸中腐蚀5‑7秒，清洗干燥后放入温度100±3℃的镀镍液中进行二次镀镍，冲洗甩干后放入氮气烘箱内烘烤20±5分钟，氮气烘箱烘烤温度130±20℃，氮气流量2±0.5LPM；H：镀金：将二次镀镍后的硅片放入温度110±5℃镀金液中镀金20‑25秒，清洗甩干后放入氮气烘箱内烘烤20±5分钟，氮气烘箱烘烤温度130±20℃，氮气流量2±0.5LPM。