[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810535591.0 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN109817605A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;陈明辉;吴星星 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。在半导体器件的制造过程中，通过在器件上形成金属焊盘，并在金属焊盘上形成键合标记。这些键合标记就可以作为引线键合过程中，需要键合连接的位置的标记，可以通过键合标记确定器件上需要与外部结构连接的具体位置，使得引线键合中引线在器件上的键合位置可以确定，提高引线键合的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 引线键合 键合 金属焊盘 制备 半导体技术领域 标记确定 键合连接 键合位置 外部结构 制造过程 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，该方法包括：提供一晶圆；在所述晶圆一侧无源区制作多个金属焊盘；基于多个所述金属焊盘，制作一个或多个键合标记，形成具有键合标记的金属焊盘。
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