[发明专利]大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 201810474244.1 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110055589B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 程春;王伟军;王经纬;石润;付阳;王国良;张海超;耿派;蔡念铎;陈鹏程;孔德俊 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/00;C23C16/34;C23C16/458;C23C16/02 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜的制备方法。所述制备方法包括：将经过抛光平整处理的衬底置于支撑平面上，并使所述衬底与所述支撑平面形成0.5～15.0μm的间隙；将放置有所述衬底的所述支撑平面置于低压化学气相沉积腔室内，在缓冲气体保护氛围下对所述衬底进行退火处理；向所述低压化学气相沉积腔室中通入六方氮化硼前躯体，以低压化学气相沉积法使所述六方氮化硼前躯体在所述衬底与所述支撑平面正相对的表面发生反应生长成六方氮化硼单晶或薄膜。本发明方法获得的单层六方氮化硼薄膜尺寸大、具有原子级的平整度、晶界密度低、无悬挂键，是一种理想的二维材料衬底材料，在电子工业领域具有广泛地应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 单层 氮化 硼单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤S01.将经过抛光平整处理的衬底置于支撑平面上，并使所述衬底与所述支撑平面形成0.5～15.0μm的间隙；步骤S02.将放置有所述衬底的所述支撑平面置于低压化学气相沉积腔室内，在缓冲气体保护氛围下对所述衬底进行退火处理；步骤S03.向所述低压化学气相沉积腔室中通入六方氮化硼前躯体，以低压化学气相沉积法使所述六方氮化硼前躯体在所述衬底与所述支撑平面正相对的表面发生反应生长成六方氮化硼单晶或薄膜。
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