[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201810473924.1 申请日: 2018-05-17
公开(公告)号: CN108470774B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 黄振 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置,涉及显示技术领域,可以减小薄膜晶体管的结构缺陷密度,从而提高薄膜晶体管的电学特性。该薄膜晶体管包括:有源层,有源层包括第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层包括多个相互间隔的第一岛状结构,第二半导体层覆盖第一半导体层以及多个第一岛状结构之间的间隙;第一绝缘层,栅极,第二绝缘层,源极和漏极,源极通过第一绝缘层和第二绝缘层上的源极过孔连接于有源层,漏极通过第一绝缘层和第二绝缘层上的漏极过孔连接于有源层。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 面板 显示装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:有源层,所述有源层包括第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层包括多个相互间隔的第一岛状结构,所述第二半导体层覆盖所述第一半导体层以及多个所述第一岛状结构之间的间隙;第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧;栅极,所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述第二半导体层的一侧;第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述栅极远离所述第一绝缘层的一侧;源极和漏极,所述源极和漏极位于所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧,所述源极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的源极过孔连接于所述有源层,所述漏极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的漏极过孔连接于所述有源层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810473924.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top