[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

有源层，所述有源层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括多个相互间隔的第一岛状结构，所述第二半导体层覆盖所述第一半导体层以及多个所述第一岛状结构之间的间隙；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧；

栅极，所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述第二半导体层的一侧；

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述栅极远离所述第一绝缘层的一侧；

源极和漏极，所述源极和漏极位于所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧，所述源极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的源极过孔连接于所述有源层，所述漏极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的漏极过孔连接于所述有源层；

所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层位于所述第二子绝缘层和所述有源层之间；

所述第一子绝缘层包括多个相互间隔的第二岛状结构，所述第二子绝缘层覆盖所述第一子绝缘层以及多个所述第二岛状结构之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

每个所述第一岛状结构包括顶面和底面，所述顶面为所述第一岛状结构靠近所述第一绝缘层一侧的端面，所述底面为所述第一岛状结构远离所述第一绝缘层一侧的端面，所述顶面的面积小于所述底面的面积。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

每个所述第一岛状结构还包括连接所述顶面和所述底面的侧面，所述侧面和所述底面之间的夹角a满足45°≤a≤60°。

4.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管。

5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的显示面板。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一半导体层，通过构图工艺对所述第一半导体层进行图案化，形成多个相互间隔的第一岛状结构；

在图案化之后的所述第一半导体层上进行包括横向外延过生长过程的二次成膜，生成第二半导体层，所述第二半导体层覆盖所述第一半导体层以及多个所述第一岛状结构之间的间隙；

通过构图工艺对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行图案化，形成有源层图案；

在所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述第二半导体层的一侧形成栅极；

在所述栅极远离所述第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层远离所述栅极的一侧形成源极和漏极，所述源极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的源极过孔连接于所述有源层，所述漏极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的漏极过孔连接于所述有源层；

所述在所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧形成第一绝缘层的过程包括：

在所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧形成第一子绝缘层，通过构图工艺对所述第一子绝缘层进行图案化，形成多个相互间隔的第二岛状结构；

在图案化之后的所述第一子绝缘层上进行包括横向外延过生长过程的二次成膜，形成第二子绝缘层，所述第二子绝缘层覆盖所述第一子绝缘层以及多个所述第二岛状结构之间的间隙。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

对所述第一子绝缘层进行图案化和对所述第一半导体层进行图案化时使用相同的掩膜版。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述形成第一半导体层以及所述在图案化之后的所述第一半导体层上进行包括横向外延过生长过程的二次成膜，生成第二半导体层的过程中，所述第一半导体层和所述第二半导体层为非晶硅材料；

在所述通过构图工艺对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行图案化，形成有源层图案的过程之前，还包括：

对非晶硅材料的所述第一半导体层和所述第二半导体层进行晶化处理，使所述第一半导体层和所述第二半导体层由非晶硅材料转化为多晶硅材料。