[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，可以减小薄膜晶体管的结构缺陷密度，从而提高薄膜晶体管的电学特性。该薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括多个相互间隔的第一岛状结构，第二半导体层覆盖第一半导体层以及多个第一岛状结构之间的间隙；第一绝缘层，栅极，第二绝缘层，源极和漏极，源极通过第一绝缘层和第二绝缘层上的源极过孔连接于有源层，漏极通过第一绝缘层和第二绝缘层上的漏极过孔连接于有源层。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置。

背景技术

在显示面板中，设置有薄膜晶体管，用于实现在显示过程中的控制功能，如果薄膜晶体管的电学特性较差，则可能会对显示造成不良影响。目前的薄膜晶体管制作过程中，会使得薄膜晶体管的结构缺陷密度增加，从而降低了薄膜晶体管的电学特性。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置，可以减小薄膜晶体管的结构缺陷密度，从而提高薄膜晶体管的电学特性。

一方面，本发明提供一种薄膜晶体管，包括：

有源层，所述有源层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括多个相互间隔的第一岛状结构，所述第二半导体层覆盖所述第一半导体层以及多个所述第一岛状结构之间的间隙；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧；

栅极，所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述第二半导体层的一侧；

第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述栅极远离所述第一绝缘层的一侧；

源极和漏极，所述源极和漏极位于所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧，所述源极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的源极过孔连接于所述有源层，所述漏极通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上的漏极过孔连接于所述有源层。

可选地，所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层位于所述第二子绝缘层和所述有源层之间；

所述第一子绝缘层包括多个相互间隔的第二岛状结构，所述第二子绝缘层覆盖所述第一子绝缘层以及多个所述第二岛状结构之间的间隙。

可选地，每个所述第一岛状结构包括顶面和底面，所述顶面为所述第一岛状结构靠近所述第一绝缘层一侧的端面，所述底面为所述第一岛状结构远离所述第一绝缘层一侧的端面，所述顶面的面积小于所述底面的面积。

可选地，每个所述第一岛状结构还包括连接所述顶面和所述底面的侧面，所述侧面和所述底面之间的夹角a满足45°≤a≤60°。

另一方面，本发明还提供一种显示面板，包括上述的薄膜晶体管。

另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

另一方面，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成第一半导体层，通过构图工艺对所述第一半导体层进行图案化，形成多个相互间隔的第一岛状结构；

在图案化之后的所述第一半导体层上进行包括横向外延过生长过程的二次成膜，生成第二半导体层，所述第二半导体层覆盖所述第一半导体层以及多个所述第一岛状结构之间的间隙；

通过构图工艺对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行图案化，形成有源层图案；

在所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述第二半导体层的一侧形成栅极；

在所述栅极远离所述第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；