[发明专利]一种图形化方法有效
| 申请号： | 201810469280.9 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108550527B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵承潭;李鑫;黄华 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种图形化方法，用以准确的实现在特定区域的图形化。该图形化方法包括：在基底上制作至少一凸起结构，所述凸起结构的位置与需要图形化的区域对应；在所述凸起结构上形成一膜层；采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化。由于在采用纳米压印模板对膜层进行图形化的步骤之前，在基底上制作至少一凸起结构，与现有技术相比，能够使得凸起结构之外的区域不能实现纳米压印，进而准确的实现在特定区域的图形化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形化方法，其特征在于，包括：在基底上制作至少一凸起结构，所述凸起结构的位置与需要图形化的区域对应；在所述凸起结构上形成一膜层；采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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