[发明专利]一种图形化方法有效
申请号: | 201810469280.9 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN108550527B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 赵承潭;李鑫;黄华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 刘延喜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 方法 | ||
1.一种图形化方法,其特征在于,包括:
在基底上制作至少一凸起结构,所述凸起结构的位置与需要图形化的区域对应;
在所述凸起结构上形成一膜层;
采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化;
所述采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化包括:
在所述膜层上涂覆一层压印胶;
将纳米压印模板压在所述压印胶的表面实现图案的转移;
去除暴露出的所述膜层;
去除所述压印胶,使得剩余的所述膜层保留在所述凸起结构上。
2.根据权利要求1所述的图形化方法,其特征在于,在所述基底上制作至少两邻接的凸起结构,相邻的所述凸起结构的高度不同;
沿平行于所述基底的方向,所述凸起结构的宽度小于或等于所述纳米压印模板的宽度。
3.根据权利要求2所述的图形化方法,其特征在于,沿垂直于所述基底的方向,高度最小的所述凸起结构的高度,与所述纳米压印模板的下压高度相等。
4.根据权利要求2所述的图形化方法,其特征在于,沿垂直于所述基底的方向,相邻的所述凸起结构的高度差,不小于所述纳米压印模板的下压深度。
5.根据权利要求2所述的图形化方法,其特征在于,所述采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化,包括:
按照所述凸起结构的高度递增的顺序,采用纳米压印模板依次对所述凸起结构上方的所述膜层进行图形化。
6.根据权利要求5所述的图形化方法,其特征在于,所述采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化,还包括:
按照所述凸起结构的高度递增的顺序,依次对完成图形化的膜层进行遮挡。
7.根据权利要求1-6任一项所述的图形化方法,其特征在于,在基底上制作凸起结构,包括:
采用构图工艺在所述基底上制作凸起结构。
8.根据权利要求7所述的图形化方法,其特征在于,所述凸起结构的材料包括有机树脂,或无机透明材料。
9.根据权利要求8所述的图形化方法,其特征在于,所述无机透明材料包括氮化硅或氧化硅。
10.根据权利要求1所述的图形化方法,其特征在于,所述在所述凸起结构上形成一膜层,包括:
采用构图工艺在所述凸起结构上形成一金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造