[发明专利]一种图形化方法

说明书

本发明实施例提供了一种图形化方法，用以准确的实现在特定区域的图形化。该图形化方法包括：在基底上制作至少一凸起结构，所述凸起结构的位置与需要图形化的区域对应；在所述凸起结构上形成一膜层；采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化。由于在采用纳米压印模板对膜层进行图形化的步骤之前，在基底上制作至少一凸起结构，与现有技术相比，能够使得凸起结构之外的区域不能实现纳米压印，进而准确的实现在特定区域的图形化。

技术领域

本发明涉及纳米压印技术领域，尤其涉及一种图形化方法。

背景技术

纳米压印技术是在纳米尺度获得复制结构的一种成本低而速度快的方法，它可以大批量重复性地在大面积基板上制备纳米图案结构。

纳米压印技术，是通过阻蚀剂的物理变形来实现图形转移，其分辨率不受光波波长等因素限制，可突破传统光刻工艺的分辨率极限，同时还具有低成本、大深宽比等优点。目前报道的纳米加工精度已经达到2纳米，超过了传统光刻技术能够达到的分辨率。

目前常用的纳米压印技术分为如下三个步骤：

第一步：模板的加工；该步骤一般使用电子束刻蚀等手段，在硅或其它衬底上加工出所需要的结构作为模板，由于电子的衍射极限远小于光子，因此可以达到远高于光刻技术的分辨率。

第二步：图样的转移；该步骤在待加工的材料表面涂覆一层光刻胶，然后将第一步加工形成的模板压在光刻胶的表面，采用加压的方式使图案转移到光刻胶上。

第三步：衬底的加工；该步骤用紫外光使光刻胶固化，移开模板后，用刻蚀液将第二步未完全去除的光刻胶刻蚀掉，露出待加工材料表面，然后使用化学刻蚀的方法进行加工，完成后去除全部光刻胶，最终得到高精度加工的材料。

纳米压印技术在显示行业已展开广泛的研究，偏振层、3D显示、触控电极、彩膜基板和阵列基板等都能通过纳米压印工艺方式实现。

本发明的发明人发现，现有纳米压印技术在显示领域应用的一个难点是实现图形化，显示领域需要在特定的区域实现纳米图形，而现有纳米压印技术很难做到在特定区域的图形化。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种图形化方法，用以准确的实现在特定区域的图形化。

为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种图形化方法，包括：

在基底上制作至少一凸起结构，所述凸起结构的位置与需要图形化的区域对应；

在所述凸起结构上形成一膜层；

采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化。

优选地，在所述基底上制作至少两邻接的凸起结构，相邻的所述凸起结构的高度不同；

沿平行于所述基底的方向，所述凸起结构的宽度小于或等于所述纳米压印模板的宽度。

优选地，沿垂直于所述基底的方向，高度最小的所述凸起结构的高度，与所述纳米压印模板的下压高度相等。

优选地，沿垂直于所述基底的方向，相邻的所述凸起结构的高度差，不小于所述纳米压印模板的下压深度。

优选地，所述采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化，包括：

按照所述凸起结构的高度递增的顺序，采用纳米压印模板依次对所述凸起结构上方的所述膜层进行图形化。

优选地，所述采用纳米压印模板对所述膜层进行图形化，还包括：

按照所述凸起结构的高度递增的顺序，依次对完成图形化的膜层进行遮挡。

优选地，在基底上制作凸起结构，包括：