[发明专利]半导体结构及产生半导体装置的布局图的方法

摘要

一种半导体结构，包括：第一和第二主动区域，第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中；以及多个栅极电极，栅极电极间隔布置于一第二栅格中，并位于对应的第一和第二主动区域上，第二栅格沿着一第二方向取向，第二方向实质上垂直于第一方向；其中：第一和第二主动区域相对于第二方向被一间隙所分开；各栅极电极包括一第一段和一栅极延伸；各栅极延伸相对于第二方向延伸超过对应的主动区域，并以高度HEXT进入间隙，其中HEXT≤(≈150nm)；以及各栅极延伸相对于由第一和第二方向所界定的一平面为实质上矩形。在一实施例中，高度HEXT为HEXT≤(≈100nm)。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一和第二主动区域，该第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中；以及多个栅极电极，所述多个栅极电极间隔布置于一第二栅格中，并位于对应的该第一和第二主动区域上，该第二栅格沿着一第二方向取向，该第二方向实质上垂直于该第一方向；其中：该第一和第二主动区域相对于该第二方向被一间隙所分开；各该栅极电极包括一第一段和一栅极延伸；各该栅极延伸相对于该第二方向延伸超过对应的该主动区域，并以高度HEXT进入该间隙，其中HEXT≤(≈150nm)；以及各该栅极延伸相对于由该第一和第二方向所界定的一平面为实质上矩形。