[发明专利]MOS晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种能有效防止GOI hump现象的MOS晶体管及其制造方法。包括：在衬底表面形成沿远离衬底的方向依次包括第一氧化层和栅极层的栅极材料层的步骤；在栅极材料层上定义栅极区和非栅极区的步骤；利用第一蚀刻工艺对所述非栅极区的栅极材料层进行蚀刻、以形成第一栅极结构的步骤；以及利用第二蚀刻工艺去除第一栅极结构中的第一氧化层的侧壁材料、使第一栅极结构中的第一氧化层位于栅极区内、且在沿与衬底平行的方向形成凹槽、以形成第二栅极结构的步骤。

主权项

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：栅极材料层形成步骤，在该栅极材料层形成步骤中，在衬底表面形成栅极材料层，所述栅极材料层沿远离所述衬底的方向依次包括第一氧化层和栅极层；栅极位置定义步骤，在该栅极位置定义步骤中，在所述栅极材料层上定义栅极区和非栅极区；第一蚀刻步骤，在该第一蚀刻步骤中，利用第一蚀刻工艺，对所述非栅极区的栅极材料层进行蚀刻，以形成第一栅极结构；以及第二蚀刻步骤，在该第二蚀刻步骤中，利用第二蚀刻工艺，去除所述第一栅极结构中的所述第一氧化层的侧壁材料，使所述第一栅极结构中的所述第一氧化层位于所述栅极区内，且在沿与所述衬底平行的方向形成凹槽，以形成第二栅极结构。