[发明专利]刻蚀装置以及图形的转移方法有效
| 申请号： | 201810433250.2 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108538765B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏冲;李鹏;刘薇;裘晓辉 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种刻蚀装置以及图形的转移方法，该刻蚀装置包括：原子力显微镜，所述原子力显微镜包括导电探针；以及，导电探针电子束电场产生模块，包括电流控制单元，所述电流控制单元的电信号输出端用于产生使得所述导电探针尖端发射场发射电子束的电信号。本发明实施例的技术方案通过原子力显微镜的导电探针尖端发射场发射电子束对待刻蚀样品表面的有机层进行刻蚀形成预设图形，并将预设图形通过等离子体刻蚀方法转移到待刻蚀样品表面，降低了制备成本，并且提高了刻蚀图形的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 以及 图形 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：原子力显微镜，所述原子力显微镜包括导电探针；以及，导电探针电子束电场产生模块，包括电流控制单元，所述电流控制单元的电信号输出端用于产生使得所述导电探针尖端发射场发射电子束的电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
