[发明专利]一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板及其制备方法，所述方法包括以下步骤：在基板上制备多晶硅层，经第一道光罩制程形成多晶硅图案；然后接着依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及第一光刻胶，经过第二道光罩制程形成所述多晶硅图案中的重掺杂部、轻掺杂部以及形成栅极；在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及第二光刻胶，经第三道光罩形成源极过孔、漏极过孔以及像素电极；接着制备一层源漏极金属层，经第四道光罩制程形成源极与漏极，以及触控信号线；在所述基板上制备一层钝化层，经第五道光罩形成第一过孔；在所述基板上制备一层触控电极层，经第六道光罩形成图案化的触控电极。

主权项

1.一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基板，在所述基板上依次制备缓冲层、多晶硅层，经第一道光罩制程后形成多晶硅图案；步骤S2、在所述基板上依次制备栅绝缘层、栅极金属层以及一层第一光刻胶，对所述栅极金属层蚀刻形成栅极，并对所述多晶硅图案进行掺杂，形成所述多晶硅图案中的重掺杂部与轻掺杂部；步骤S3、在所述基板上依次制备间绝缘层、像素电极层以及一层第二光刻胶，采用第三道光罩在不同区域以不同的光透过量进行曝光，显影后对应所述重掺杂部预设位置的所述第二光刻胶完全蚀刻，形成不同厚度的第二光刻胶图案；步骤S4、经蚀刻去除对应所述重掺杂部的所述预设位置的所述像素电极层、所述间绝缘层以及所述栅绝缘层的相应部分，形成源极过孔与漏极过孔；步骤S5、去除部分所述第二光刻胶，保留所述像素电极层上用于制备像素电极的相应区域上方的所述第二光刻胶，对所述像素电极层进行蚀刻，形成图案化的所述像素电极。