[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，包括：提供一基板，并在所述基板上方制备层叠设置的遮光层、第一缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、经图案化的第一金属、间绝缘层、第二缓冲层、经图案化的第二金属、第三缓冲层、经图案化的第一透明电极和钝化层；采用一道光罩工艺形成贯穿钝化层、第三缓冲层、第二缓冲层、栅绝缘层与多晶硅层接触的过孔；在钝化层表面制备图案化的第二透明电极，第二透明电极覆盖过孔表面，并与第二金属连接。本发明将栅绝缘层、第二缓冲层、第三缓冲层和钝化层通过一道过孔工艺实现各层的有效连接，进而将所需的四道光罩工艺节约为一道光罩工艺，极大的简化了阵列基板工艺流程和生产成本。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括如下步骤：步骤S10、提供一基板，并在所述基板上方依次制备层叠设置的遮光层、第一缓冲层和多晶硅层；步骤S20、在所述多晶硅层表面依次制备栅绝缘层、经图案化的第一金属，并对所述多晶硅层完成离子注入以形成两端的源漏极掺杂区和中间的沟道区；步骤S30、在所述间绝缘层的上方依次制备层叠设置的第二缓冲层、经图案化的第二金属、第三缓冲层、经图案化的第一透明电极和钝化层；步骤S40、采用一道光罩工艺形成过孔，所述过孔贯穿所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触；步骤S50、在钝化层表面制备图案化的第二透明电极，所述第二透明电极覆盖所述过孔表面，并与所述第二金属连接。