[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，并在所述基板上方依次制备层叠设置的遮光层、第一缓冲层和多晶硅层；

在所述多晶硅层表面依次制备栅绝缘层、经图案化的第一金属，并对所述多晶硅层完成离子注入以形成两端的源漏极掺杂区和中间的沟道区；

在所述栅绝缘层的上方依次制备层叠设置的第二缓冲层、经图案化的第二金属、第三缓冲层、经图案化的第一透明电极和钝化层；所述第二金属为源漏极金属；

采用一道光罩工艺形成过孔，所述过孔贯穿所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触，所述过孔使至少部分所述第二金属及至少部分所述多晶硅层的源漏极掺杂区裸露；

在钝化层表面制备图案化的第二透明电极，所述第二透明电极覆盖所述过孔表面，并与部分所述第二金属及部分所述源漏极掺杂区内的多晶硅材料连接，所述源漏极金属连接于所述第二透明电极侧部。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层的制备材料均为氮化硅和氧化硅中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属为栅极金属。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极通过过孔将所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二金属、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层、所述多晶硅层电性互连。

6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

第一缓冲层，设置在所述基板的上方，并覆盖所述基板；

多晶硅层，设置在所述第一缓冲层的上方；

栅绝缘层，设置在所述多晶硅层的上方；

第一金属，设置在所述栅绝缘层的上方，并对应于所述多晶硅层位置；

第二缓冲层，设置在所述栅绝缘层的上方，并覆盖所述第一金属；

第二金属，设置在所述第二缓冲层的上方，所述第二金属为源漏极金属；

第三缓冲层，设置在所述第二缓冲层的上方，并覆盖所述第二金属；

第一透明电极，设置在所述第三缓冲层的上方；

钝化层，设置在所述第三缓冲层的上方，并覆盖所述第一透明电极；

第二透明电极，设置在所述钝化层的上方；

过孔，所述过孔贯穿所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触，所述过孔使至少部分所述第二金属及至少部分所述多晶硅层的源漏极掺杂区裸露；

其中，所述第二透明电极覆盖所述过孔表面，并与部分所述第二金属及部分所述源漏极掺杂区内的多晶硅材料连接，所述源漏极金属连接于所述第二透明电极侧部。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层的制备材料均为氮化硅和氧化硅中的至少一者。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属为栅极金属。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极通过过孔将所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二金属、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层、所述多晶硅层电性互连。