[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，包括：提供一基板，并在所述基板上方制备层叠设置的遮光层、第一缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、经图案化的第一金属、间绝缘层、第二缓冲层、经图案化的第二金属、第三缓冲层、经图案化的第一透明电极和钝化层；采用一道光罩工艺形成贯穿钝化层、第三缓冲层、第二缓冲层、栅绝缘层与多晶硅层接触的过孔；在钝化层表面制备图案化的第二透明电极，第二透明电极覆盖过孔表面，并与第二金属连接。本发明将栅绝缘层、第二缓冲层、第三缓冲层和钝化层通过一道过孔工艺实现各层的有效连接，进而将所需的四道光罩工艺节约为一道光罩工艺，极大的简化了阵列基板工艺流程和生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

低温多晶硅(Low temperature poly-silicon，简称LTPS)技术具有电子迁移率高的优点，能够有效的减小薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT)器件的面积，从而提升像素的开口率，在增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，进而大幅度降低面板的制造成本，因此，LTPS工艺目前已成为液晶显示领域炙手可热的技术。

但是，现有的LTPS工艺复杂，阵列基板膜层的数目较多，一般需要至少10层的膜层结构，这样就需要较多的光罩工艺来进行层膜结构的制备，同时延长了产品制作时间，增加了产品的关照成本、物料成本和运营成本。

如何能够有效的降低阵列基板制作周期，提升产品的良率，提升产品的生产能力，降低产品的生产成本，是目前面板设计行业所关注的重点，也是增加公司市场竞争力的有效途径。因此目前亟须一种能够节省光罩工艺的ITPS阵列基板及其制作方法。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法，以解决现有阵列基板制作工艺中，所需光罩工艺较多，导致产品生产工艺复杂，阵列基板制备成本较高的问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括如下步骤：

步骤S10、提供一基板，并在所述基板上方依次制备层叠设置的遮光层、第一缓冲层和多晶硅层；

步骤S20、在所述多晶硅层表面依次制备栅绝缘层、经图案化的第一金属，并对所述多晶硅层完成离子注入以形成两端的源漏极掺杂区和中间的沟道区；

步骤S30、在所述间绝缘层的上方依次制备层叠设置的第二缓冲层、经图案化的第二金属、第三缓冲层、经图案化的第一透明电极和钝化层；

步骤S40、采用一道光罩工艺形成过孔，所述过孔贯穿所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触；

步骤S50、在钝化层表面制备图案化的第二透明电极，所述第二透明电极覆盖所述过孔表面，并与所述第二金属连接。

根据本发明一优选实施例，所述钝化层、所述第三缓冲层、所述第二缓冲层、所述栅绝缘层的制备材料均为氮化硅和氧化硅中的至少一者。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属为栅极金属，所述第二金属为源漏极金属。

根据本发明一优选实施例，所述第一透明电极为公共电极，所述第二透明电极为像素电极。

根据本发明一优选实施例，所述像素电极通过过孔将所述钝化层、所述第三绝缘层、所述第二金属、所述第二缓冲层、所述间绝缘层、所述多晶硅层电性互连。

根据本发明的另一个方面，提供了一种阵列基板，包括：

基板；

遮光层，设置在所述基板上方；