[发明专利]一种无铝下CVD肖特基二极管芯片及制造工艺在审
| 申请号： | 201810397650.2 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108493256A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 翟鹏飞;叶新民;朱瑞;陈烨;许烨东 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波;孙燕波 |
| 地址： | 214400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的无铝下CVD肖特基二极管芯片及制造工艺，应用在集成电路或分立器件制造技术领域。其纵向结构(从下至上)包括了阴极金属、半导体硅片N+衬底层、N‑外延层、P+有源区、镍铂金属势垒层、氧化层、阳极金属；通过掺氯氧化与扩散方法在氧化层中增加氯离子来固定可动电荷以达到替代铝下CVD作用，最终去除肖特基二极管的铝下CVD工艺。本发明最终可以生产出无铝下CVD肖特基二极管芯片，缩短产品生产周期，降低生产成本，提高市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管芯片 制造工艺 氧化层 产品生产周期 肖特基二极管 半导体硅片 金属势垒层 市场竞争力 分立器件 阳极金属 阴极金属 纵向结构 电荷 衬底层 氯离子 外延层 可动 镍铂 源区 去除 集成电路 扩散 替代 应用 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.一种无铝下CVD肖特基二极管芯片，其特征在于：它包括作为基片的半导体硅片N+衬底；在半导体硅片N+衬底上设置有N‑外延层；在N‑外延层上刻蚀形成硅沟槽，在硅沟槽内通过高温氧化与扩散方式将杂质硼扩散至一定深度形成P+有源区，在所述P+有源区表面通过高温氧化形成一定厚度的氧化层，所述氧化层的中间通过光刻形成开窗，在所述开窗内通过溅射方式淀积一层一定厚度的镍铂金属势垒层，所述镍铂金属势垒层与N‑外延层之间以欧姆方式接触，在所述镍铂金属势垒层表面以及部分氧化层表面通过蒸发或溅射的方式淀积一层一定厚度的阳极电极，在半导体硅片N+衬底无N‑外延层一侧通过蒸发或溅射的方式淀积一层一定厚度的阴极电极。
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