[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底内具有第一掺杂区，第一掺杂区内具有第一掺杂离子，第一掺杂区表面具有场氧化膜，场氧化膜表面具有第一图形层，第一图形层暴露出部分场氧化膜顶部；以第一图形层为掩膜，刻蚀场氧化膜，直至暴露出基底顶部；暴露出基底的顶部表面之后，以第一图形层和场氧化膜为掩膜，在第一掺杂内形成第二掺杂区，第二掺杂区内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反，且第二掺杂离子的浓度大于第一掺杂离子的浓度；在部分第二掺杂区表面、以及场氧化膜的侧壁和部分顶部表面形成栅极结构。所形成器件的沟道长度较小，导通电阻较小，截止频率较大。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一掺杂离子，所述第一掺杂区表面具有场氧化膜，所述场氧化膜表面具有第一图形层，所述第一图形层暴露出部分场氧化膜的顶部表面；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述场氧化膜，直至暴露出基底的顶部表面；暴露出基底的顶部表面之后，以所述第一图形层和场氧化膜为掩膜，在所述第一掺杂内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反，且所述第二掺杂离子的浓度大于第一掺杂离子的浓度；在部分所述第二掺杂区表面、以及场氧化膜的侧壁和部分顶部表面形成栅极结构。