[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一掺杂离子，所述第一掺杂区表面具有场氧化膜，所述场氧化膜表面具有第一图形层，所述第一图形层暴露出部分场氧化膜的顶部表面；

以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述场氧化膜，直至暴露出基底的顶部表面；

暴露出基底的顶部表面之后，以所述第一图形层和场氧化膜为掩膜，在所述第一掺杂内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相反，且所述第二掺杂离子的浓度大于第一掺杂离子的浓度；

在部分所述第二掺杂区表面、以及场氧化膜的侧壁和部分顶部表面形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一图形层为掩膜，刻蚀所述场氧化膜的工艺包括干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺之后，所述场氧化膜的侧壁与顶部表面垂直。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述场氧化膜的厚度为：500埃～3000埃。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：在所述第二掺杂区表面、以及场氧化膜的侧壁和顶部表面形成栅结构膜，部分所述第二掺杂区和场氧化膜顶部具有第三图形层；以所述第三图形层为掩膜，刻蚀所述栅结构膜，形成所述栅极结构；位于所述第二掺杂区顶部第三图形层沿垂直于场氧化膜侧壁方向上的尺寸为0.05微米～0.07微米。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述栅结构膜的厚度大于场氧化膜的厚度时，所述栅极结构底部沿垂直于场氧化膜侧壁方向上的尺寸是由场氧化膜的厚度所决定的；所述栅极结构底部沿垂直于场氧化膜侧壁方向上的尺寸为：0.04微米～0.25微米。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述栅结构膜的厚度小于场氧化膜的厚度时，所述栅极结构底部沿垂直于场氧化膜侧壁方向上的尺寸等于栅结构膜的厚度。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述场氧化膜的材料包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二掺杂区之后，形成所述栅极结构之前，所述形成方法还包括：在所述基底和第二掺杂区表面、以及场氧化膜的部分侧壁和顶部表面形成第二图形层，所述第二图形层暴露出部分场氧化膜的顶部表面；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述场氧化膜，直至暴露出基底的顶部表面；暴露出基底的顶部表面之后，在所述第一掺杂区内形成第三掺杂区，所述第三掺杂区内具有第三掺杂离子，所述第三掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相同，且第三掺杂区和第二掺杂区分别位于场氧化膜的两侧。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述场氧化膜的工艺包括湿法刻蚀工艺；以所述第二图形层为掩膜，刻蚀所述场氧化膜之后，所述场氧化膜的侧壁相对于顶部表面倾斜。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构之后，所述形成方法还包括：在所述栅极结构一侧的第二掺杂区内形成源区；在所述栅极结构一侧的第一掺杂区内形成漏区。