[发明专利]半导体元件熔丝结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810364822.6 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108573952A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 郭振强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件熔丝结构，包括：硅衬底上依次设置有第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层，熔丝孔穿过钝化层达到第二介质层，熔丝孔下方具有半导体元件设计容忍厚度的第二介质层，衬垫结构穿过钝化层连接第二金属层；还包括：第三介质层，第三介质层设置在第二介质层中,第三介质层下方具有半导体元件设计容忍厚度的第二介质层。本发明还公开了一种半导体元件熔丝结构制造方法。本发明的半导体元件熔丝结构能改善熔丝结构中金属层上介质层的均匀性，能提供熔丝结构中金属上介质层更好的均匀性，能满足熔丝结构对金属上介质层的均匀性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 熔丝结构 半导体元件 上介质层 钝化层 第二金属层 均匀性 熔丝 第一金属层 均匀性要求 穿过 金属 衬垫结构 依次设置 中金属层 硅衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件熔丝结构，包括：硅衬底上依次设置有第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层，熔丝孔穿过钝化层达到第二介质层，熔丝孔下方具有半导体元件设计容忍厚度的第二介质层，衬垫结构穿过钝化层连接第二金属层；其特征在于，还包括：第三介质层，第三介质层设置在第二介质层中,第三介质层下方具有半导体元件设计容忍厚度的第二介质层。
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