[发明专利]发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管包含第一半导体层、位于第一半导体层上的活性层、位于活性层之上的第二半导体层，以及位于第二半导体层之上的半导体接触层。第二半导体层包含第一次层与形成于第一次层之上的第二次层，其中第二次层的材料包含AlxGa1‑xN(0x1)，且第二半导体的表面包含多个不规则分布的六角孔穴。

主权项

1.一种发光二极管，其特征在于，包含：第一半导体层；活性层，位于该第一半导体层之上；以及第二半导体层，位于该活性层之上，包含第一次层与位于该第一次层之上的第二次层，其中该第二次层的材料包含AlxGa1‑xN(0

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810358160.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。